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采用TO220FullPAK全隔离封装的SiC肖特基二极管英飞凌万芳

发布时间:2020-02-14 10:50:07 阅读: 来源:升降机厂家

采用TO-220 FullPAK全隔离封装的SiC肖特基二极管(英飞凌)

英飞凌推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。

独具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺,该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻,有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散热缺陷。英飞凌推出的600 V FullPAK产品系列的额定电流范围为2 A至6 A,是业界采用这种封装的SiC二极管最全的产品系列。

碳化硅(SiC)是一种适用于功率半导体的革命性材料,其物理属性远远优于硅功率器件。关键特性包括标杆性的开关性能、没有反向恢复电流、温度几乎不会影响开关行为和标准工作温度范围为-55°至175°C。SiC肖特基二极管的主要应用领域有,开关电源(SMPS)中的有源功率因素校正(PFC),以及诸如太阳能逆变器和电机驱动装置等其他AC/DC和DC/DC功率转换应用。FullPAK产品系列特别适用于平板显示器(LCD/PDP)和计算机中的电源应用。

早在2001年,英飞凌就率先推出了全球第一款SiC肖特基二极管。过去几年,英飞凌的SiC肖特基二极管技术已经在诸如抗浪涌电流稳定性、开关性能、产品成本和封装等方面,取得了许多显著进步,进一步发挥了SiC技术的优越性。SiC肖特基二极管有两个电压级别:600 V和1200 V。

全系列产品已经开始投产。定价与采用TO220封装的同等器件相当。

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